|
K4R271669B-MCK8 este fabricat de:
|
| 256K x 16 x 32s bănci RDRAM directă. Timp de acces: 45 ns, I / O de frecvențe de 800 MHz .:. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: K4R271669B-MCG6, K4R271669B-NCG6, K4R271669B-NCK7, K4R271669B-NCK8, K4R271869B-MCG6 |
Downloadează sau descarcă K4R271669B-MCK8 datasheet de la Samsung Electronic |
pdf 310 kb |
| K4R271669B-MCK7 | Vezi K4R271669B-MCK8 în catalogul nostru | K4R271669B-N(M)CG6 |