|
IRF8302MTR1PBF este fabricat de:
|
| MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MX de 31 amperi optimizat cu rezistență redusă. | Downloadează sau descarcă IRF8302MTR1PBF datasheet de la International Rectifier |
pdf 301 kb |
| IRF8302M | Vezi IRF8302MTR1PBF în catalogul nostru | IRF8304M |