IRF6898M este fabricat de:
|
MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25 V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MX de 35 amperi optimizat cu rezistență redusă. | Downloadează sau descarcă IRF6898M datasheet de la International Rectifier |
pdf 293 kb |
IRF6894MTRPBF | Vezi IRF6898M în catalogul nostru | IRF6898MTR1PBF |