IRF6775M este fabricat de:
|
Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 150 V într-un pachet DirectFET MZ de 28 amperi optimizat cu rezistență redusă. | Downloadează sau descarcă IRF6775M datasheet de la International Rectifier |
pdf 289 kb |
IRF6729MTRPBF | Vezi IRF6775M în catalogul nostru | IRF6775MTRPBF |