|
IRF6709S2TR1PBF este fabricat de:
|
| Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET S1 evaluat la 12 amperi optimizat cu rezistență redusă. | Downloadează sau descarcă IRF6709S2TR1PBF datasheet de la International Rectifier |
pdf 276 kb |
| IRF6709S2 | Vezi IRF6709S2TR1PBF în catalogul nostru | IRF6709S2TRPBF |