IRF6643TR1PBF este fabricat de:
|
Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 150 V într-un pachet DirectFET MZ de 35 amperi optimizat cu rezistență redusă. | Downloadează sau descarcă IRF6643TR1PBF datasheet de la International Rectifier |
pdf 394 kb |
IRF6643 | Vezi IRF6643TR1PBF în catalogul nostru | IRF6643TRPBF |