IRF6610TR1PBF este fabricat de:
|
Un MOSFET HEXFET de putere de 20 V cu un singur canal N într-un pachet DirectFET SQ evaluat la 66 amperi | Downloadează sau descarcă IRF6610TR1PBF datasheet de la International Rectifier |
pdf 222 kb |
IRF6610 | Vezi IRF6610TR1PBF în catalogul nostru | IRF6611 |