|
HY57V161610ET-10 este fabricat de:
|
| 2 bănci x 512K x 16 biți DRAM sincron Alte componente care au același fișier pentru datasheet: HY57V161610E, HY57V161610ET-5, HY57V161610ET-55, HY57V161610ET-6, HY57V161610ET-7 |
Downloadează sau descarcă HY57V161610ET-10 datasheet de la Hynix Semiconductor |
pdf 177 kb |
| HY57V161610ET(P)-8(I) | Vezi HY57V161610ET-10 în catalogul nostru | HY57V161610ET-10I |