HY51V65163HGLJ-6 este fabricat de:
|
4M x 16bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interfață, 60ns, de putere mică Alte componente care au același fișier pentru datasheet: HY51V65163HGLJ-45, HY51V65163HGLT-5, HY51V65163HGLT-6, HY51VS65163HGJ-45, HY51VS65163HGJ-5 |
Downloadează sau descarcă HY51V65163HGLJ-6 datasheet de la Hynix Semiconductor |
pdf 99 kb |
HY51V65163HGLJ-5 | Vezi HY51V65163HGLJ-6 în catalogul nostru | HY51V65163HGLT-45 |