|
GES5819 este fabricat de:
|
| Planar pasivizat epitaxial tranzistor de siliciu PNP. -40V, -750mA. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: GES5814, GES5815, GES5816, GES5817, GES5818 |
Downloadează sau descarcă GES5819 datasheet de la General Electric Solid State |
pdf 218 kb |
| GES5818-J1 | Vezi GES5819 în catalogul nostru | GES5819-J1 |