BF1005S este fabricat de:
|
RF-MOSFET - rețea integrată de polarizare completă, VDS = 5V, gfs = 30mS, Gp = 20dB, F = 1,4dB | Downloadează sau descarcă BF1005S datasheet de la Infineon |
pdf 256 kb |
|
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (pentru zgomot redus, trepte de intrare controlate cu câștig ridicat până la 1 GHz Tensiune de funcționare 5V Rețea de polarizare stabilizată integrată) Alte componente care au același fișier pentru datasheet: Q62702-F1665 |
Downloadează sau descarcă BF1005S datasheet de la Siemens |
pdf 57 kb |
BF1005R | Vezi BF1005S în catalogul nostru | BF1005SR |